MOS, ang. Metal-Oxide-Semiconductor
uk│ad trzech warstw: metalu, tlenku (izolatora) i p≤│przewodnika; podstawowy element przyrz▒d≤w p≤│przewodnikowych MOS (tranzystora MOS, uk│adu scalonego MOS); tak┐e technologia wytwarzania tych przyrz▒d≤w.