home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ Garbo / Garbo.cdr / mac / hypercrd / hc2_x / scincprs.sit / References / card_5295.txt < prev    next >
Text File  |  1991-02-03  |  949b  |  31 lines
  1. -- card: 5295 from stack: in
  2. -- bmap block id: 0
  3. -- flags: 0000
  4. -- background id: 2674
  5. -- name: 
  6.  
  7.  
  8. -- part contents for background part 3
  9. ----- text -----
  10. 9
  11.  
  12. -- part contents for background part 4
  13. ----- text -----
  14. SiGe alloys/ segregation/ relaxation.
  15.  
  16. -- part contents for background part 6
  17. ----- text -----
  18. Evidence of segregation in (100) strained Si1-xGex alloys grown at low temperature by molecular beam epitaxy.
  19.  
  20. -- part contents for background part 7
  21. ----- text -----
  22. E.T. Croke, T.C. McGill, R.J. Hauenstein, R.H. Miles
  23.  
  24. -- part contents for background part 9
  25. ----- text -----
  26. Appl. Phys. Lett., 56, 367, 1990
  27.  
  28. -- part contents for background part 17
  29. ----- text -----
  30. Describe different cleaning procedure, with Si flux oxide removal.   Equation for calculating 550C critical thickness.
  31. Grew films at low temperatures, 320C, and got excellent crystallinity.  Films grown above hc gave multiplets that they explained as chemical segregation.