home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ Garbo / Garbo.cdr / mac / hypercrd / hc2_x / scincprs.sit / References / card_3609.txt < prev    next >
Text File  |  1991-02-03  |  946b  |  35 lines
  1. -- card: 3609 from stack: in
  2. -- bmap block id: 0
  3. -- flags: 0000
  4. -- background id: 2674
  5. -- name: 
  6.  
  7.  
  8. -- part contents for background part 3
  9. ----- text -----
  10. 3
  11.  
  12. -- part contents for background part 4
  13. ----- text -----
  14. SiGe devices / HBT
  15.  
  16. -- part contents for background part 6
  17. ----- text -----
  18. Bandgap and transport properties of Si(1-x)Ge(x) by analysis of nearly ideal Si(1-x)Ge(x)/Si heterojunction bipolar transistors.
  19.  
  20. -- part contents for background part 7
  21. ----- text -----
  22. C.A. King / J.L. Hoyt / J.F. Gibbons
  23.  
  24. -- part contents for background part 9
  25. ----- text -----
  26. IEEE Trans. Electron Devices, 36, 2093, 1989
  27.  
  28.  
  29. -- part contents for background part 17
  30. ----- text -----
  31. Materials for HBT's grown by limited reaction processing.  Low temperature processing used to preserve material during device processing.  Some electronic properties  of their materials is shown.
  32.  
  33. -- part contents for background part 8
  34. ----- text -----
  35. EE Dept., Stanford.