home *** CD-ROM | disk | FTP | other *** search
/ Garbo / Garbo.cdr / mac / hypercrd / hc2_x / scincprs.sit / References / card_3362.txt < prev    next >
Text File  |  1991-02-03  |  960b  |  34 lines
  1. -- card: 3362 from stack: in
  2. -- bmap block id: 0
  3. -- flags: 0000
  4. -- background id: 2674
  5. -- name: 
  6.  
  7.  
  8. -- part contents for background part 3
  9. ----- text -----
  10. 5
  11.  
  12. -- part contents for background part 4
  13. ----- text -----
  14. SiGe Devices / HBT
  15.  
  16. -- part contents for background part 6
  17. ----- text -----
  18. Heterojunction bipolar transistors using Si-Ge alloys.
  19.  
  20. -- part contents for background part 7
  21. ----- text -----
  22. S.S. Iyer / G.L. Patton / J.M.C. Stork / B.S. Meyerson / D.L. Harame
  23.  
  24. -- part contents for background part 9
  25. ----- text -----
  26. IEEE Trans. Electron Devices, 36, 2043, 1989
  27.  
  28. -- part contents for background part 17
  29. ----- text -----
  30. Fabrication of these materials and devices is discussed, as well as some electrical charaterization.  Smaller bandgap of SiGe alloys allow for band-engineered structures.  HBT's allow for decoupling of the current gain and intrinsic base resistance.
  31.  
  32. -- part contents for background part 8
  33. ----- text -----
  34. IBM, Yorktown Heights.